Компании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu
Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero
лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой
памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные
нанотрубки. Дальнейшие работы в данном направлении должны привести к разработке
линейки коммерческих продуктов, микросхем памяти, изготовленных сначала по
55-нм технологическому процессу, первые экземпляры которых должны появиться на
свет уже в 2018 году.
Благодаря применению углеродных нанотрубок память NRAM
обладает поистине выдающимися характеристиками. Она обладает быстродействием,
сопоставимым с быстродействием динамической памяти DRAM, что в тысячу раз
быстрее традиционной NAND Flash-памяти.
О высокой надежности NRAM-памяти говорит то, что она
обеспечивает сохранность данных на протяжении 1000 лет при температуре
окружающей среды не выше 85 градусов Цельсия, а при температуре до 300 градусов
Цельсия срок хранения данных снижается до 10 лет. Рабочее напряжение ячеек
NRAM-памяти составляет 1 Вольт, а количество циклов перезаписи измеряется
сотнями миллиардов. Новая память производится по стандартной CMOS-технологии и
в перспективе размер каждой ячейки может быть уменьшен до 5 нанометров.
Работа ячейки NRAM-памяти
Структура ячеек NRAM-памяти достаточно проста, она
допускает как традиционное расположение ячеек в одной плоскости, так и их
расположение в нескольких плоскостях (слоях), что позволит добиться чрезвычайно
высокого показателя плотности хранения информации.
Компания Fujitsu Semiconductor планирует разработать
первые образцы микросхем NRAM-памяти к концу 2018 года. После этого начнется
разработка целой линейки чипов новой памяти, которые уже и будут доступны на
потребительском рынке как отдельный продукт. Компания же Mie Fujitsu
Semiconductor, которая является производителем микросхем, предложит своим
клиентам уже готовые решения, в том числе специализированные микропроцессоры и
микроконтроллеры, в состав которых будут входить массивы NRAM-памяти.
Ячейка NRAM-памяти
И в заключение следует отметить, что если компаниям
Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor удастся успешно
реализовать все вышеописанные задумки, то появление NRAM-памяти сможет
произвести буквально революцию в компьютерной технике в течение следующих 20
лет. Столь высокие скоростные характеристики новой памяти и ее
энергонезависимый характер позволят стереть грань между оперативной и
постоянной памятью современных компьютеров. Компьютеры следующих поколений, в
которых вся память будет быстродействующей и энергонезависимой, будут свободны
от необходимости процесса загрузки операционной системы и прикладных программ,
что позволит им начинать работу почти сразу же после их включения.
Источник: dailytechinfo.org
