Южнокорейская компания Samsung Electronics, пожалуй, на
данный момент является самым «продвинутым» производителем микросхем памяти. В
2014 году Samsung первой наладила выпуск 20-нм чипов ОЗУ DDR3, а уже в этом
году приступила к выпуску 10-нм чипов DDR4.
По сравнению с флеш-памятью, в которой одна ячейка
состоит только из транзистора, в ячейке DRAM имеется и конденсатор, и
транзистор, что вызывает дополнительные сложности. После длительного
подготовительного периода инженерам Samsung удалось запустить производство на
имеющемся оборудовании. Это позволит вывести готовые продукты на рынок уже в
этом году.
Относительно 20-нм чипов памяти DDR4 скорость передачи
данных выросла на 30% — с 2400 до 3200 Мбит/с. При этом уровень
энергопотребления снизился на 10—20 процентов при одинаковой ёмкости. В
ближайшее время Samsung Electronics планирует представить широкий спектр
продуктов на базе новой памяти. В их число войдут модули ОЗУ DDR4 ёмкостью от 4
ГБ до 128 ГБ, а также различные мобильные устройства.
