Интернет Новости: Samsung представляет 64-слойную память типа V-NAND

2016/08/12

Samsung представляет 64-слойную память типа V-NAND

Корейская компания Samsung старается регулярно подтверждать статус одного из лидеров мировой полупроводниковой промышленности. Во всяком случае, в сфере совершенствования твердотельной памяти Samsung способен поспорить с конкурентами, ещё вчера заявлявшими о форе в два-три года.
На профильном отраслевом мероприятии Samsung заявил, что в четвёртом квартале этого года начнёт поставки 64-слойных микросхем памяти типа V-NAND, которые позволят хранить до 1 ТБ информации в крохотном корпусе типа BGA массой не более 1 г.
Для корпоративных клиентов в следующем году будет выпущен твердотельный накопитель объёмом 32 ТБ в исполнении 2.5" с интерфейсом SAS, сочетающий 32 таких микросхемы. Одночиповые накопители объёмом 1 ТБ также найдут применение в мобильных устройствах.

Скорость чтения на последовательных операциях достигнет 1500 МБ/с, записи – 900 МБ/с.
В следующем году терабайтные накопители в исполнении BGA также перейдут на использование упаковки FO-PLP.
К 2020 году, по прогнозам Samsung, можно будет создать твердотельные накопители объёмом 100 ТБ.
В следующем году Samsung также обещает выпустить твердотельные накопители серии Z, которые по скорости чтения последовательных данных в 1,6 раза превзойдут существующий Samsung PM963 с интерфейсом NVMe, а задержки будут сокращены в четыре раза.
Нельзя исключать, что такие накопители достанутся и энтузиастам в настольном сегменте.


Компания Samsung Electronics на мероприятии Flash Memory Summit 2016 в Санта-Кларе (Калифорния, США) продемонстрировала твердотельный накопитель (SSD) вместимостью 32 Тбайт.
Устройство хранения данных выполнено на основе 512-гигабитных флеш-чипов памяти Vertical NAND (V-NAND) четвёртого поколения.
Технология V-NAND предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади.
В новом накопителе Samsung использованы 512 чипов V-NAND, сгруппированных в 16 слоёв. 
В сумме они дают указанную ёмкость в 32 Тбайт.
Накопитель выполнен в форм-факторе 2,5 дюйма; для подключения применяется интерфейс Serial Attached SCSI (SAS). 
Устройство рассчитано на использование в оборудовании корпоративного класса.
Массовое производство новинки планируется организовать в следующем году.
Информации об ориентировочной цене пока нет.

Источник:  businesswire.com